رشد و مطالعه گیت دی الکتریک نانو ترانزیستور با آمونیاک

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام این فیلم ها,یک لایه ی میانی اکسید سیلیکون را مابین خود فیلم و زیرلایه سیلیکونی بوجود آوردند. وجود این لایه ی میانی باعث تغییر ظرفیت خازن ایجادی شده است و در واقع مشکلات قبلی را به همراه خود دارد.ما در اینجا تلاش کردیم تا به رشد فیلم نیترید سیلیکون با گاز آمونیاک در فشار یک اتمسفر بپردازیم. با توجه به امکانات آزمایشگاهی موجود در گروهمان به شیوه ها ی مختلف زیر لایه را تمییز می کنیم تا عاری از هر گونه ناخالصی و کثیفی باشد. گاز آمونیاک پیوندهای ناخواسته ی si-hرا جدای از si-n بوجود می آورد که به طور نظری به این نوع پیوند ها هم می پردازیم چون مشاهده ی اینگونه پیوندهای ناخواسته با تکنیک هایی نظیرaes,xps ناممکن است.